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 Ni插入层对Ag/p-GaN界面接触性能的影响机理

徐 帅 王光绪 吴小明 郭 醒 刘军林 江风益

[摘要]采用“牺牲Ni处理”的方法研究了Ni对Ag/p-GaN界面接触性能的影响机理。利用传输线法(TLM)、紫外分光光度计、X射线光电子能谱(XPS)以及二次离子质谱仪(SIMS)等表征方式对Ag/p-GaN界面层光电性能进行了研究。结果表明,...

 PDF全文发光学报 | 2019, 40(07):865

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