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 Ni插入层对Ag/p-GaN界面接触性能的影响机理

徐 帅 王光绪 吴小明 郭 醒 刘军林 江风益

[摘要]采用“牺牲Ni处理”的方法研究了Ni对Ag/p-GaN界面接触性能的影响机理。利用传输线法(TLM)、紫外分光光度计、X射线光电子能谱(XPS)以及二次离子质谱仪(SIMS)等表征方式对Ag/p-GaN界面层光电性能进行了研究。结果表明,。。。

 PDF全文发光学报 | 2019, 40(07):865

 量子阱生长气压对InGaN/GaN黄光LED光电性能的影响

邱岳 丁杰 张建立 莫春兰 王小兰 徐龙权 吴小明 王光绪 刘军林 江风益

[摘要]采用MOCVD技术在图形化硅衬底上生长了InGaN/GaN多量子阱黄光LED外延材料, 研究了不同的量子阱生长气压对黄光LED光电性能的影响。使用高分辨率X射线衍射仪(HRXRD)和荧光显微镜(FL)对晶体质量进行了表征, 使用电致发光...

 PDF全文发光学报 | 2018, 39(07):961

 量子阱结构对含V形坑InGaN/GaN蓝光LED效率衰减的影响

吕全江 莫春兰 张建立 吴小明 刘军林 江风益

[摘要]使用MOCVD在图形化Si衬底上生长了含V形坑的InGaN/GaN蓝光LED。通过改变生长温度, 生长了禁带宽度稍大的载流子限制阱和禁带宽度稍小的发光阱, 研究了两类量子阱组合对含V形坑InGaN/GaN基蓝光LED效率衰减的影响。使用高...

 PDF全文发光学报 | 2017, 38(07):923

 V形坑尺寸对硅衬底InGaN/AlGaN近紫外LED光电性能的影响

聂晓辉 王小兰 莫春兰 张建立 潘 拴 刘军林

[摘要]使用MOCVD在图形化Si衬底上生长了InGaN/AlGaN近紫外LED, 通过改变低温GaN插入层的厚度调控V形坑尺寸, 系统地研究了V形坑尺寸对InGaN/AlGaN近紫外LED(395 nm)光电性能的影响。结果表明, 低温GaN插入层促进了V形坑的...

 PDF全文发光学报 | 2017, 38(06):735

 垒温对硅衬底GaN基蓝光LED发光效率的影响

高江东 刘军林 徐龙权 王光绪 丁杰 陶喜霞 张建立 潘拴 吴小明 莫春兰 王小兰 全知觉 郑畅达 方芳 江风益

[摘要]用MOCVD技术在硅衬底上生长了GaN基蓝光LED外延材料,研究了有源层多量子阱中垒的生长温度对发光效率的影响,获得了不同电流密度下外量子效率(EQE)随垒温的变化关系。结果表明,在860~915 ℃范围内,发光效率随着垒温。。。

 PDF全文发光学报 | 2016, 37(02):202

 AlN插入层对硅衬底GaN薄膜生长的影响

刘军林 熊传兵 程海英 张建立 毛清华 吴小明 全知觉 王小兰 王光绪 莫春兰 江风益

[摘要]利用金属有机化合物气相外延沉积技术在2 inch (5.08 cm) Si(111)图形衬底上生长了GaN外延薄膜,在Al组分渐变AlGaN缓冲层与GaN成核层之间引入了AlN插入层,研究了AlN插入层对GaN薄膜生长的影响。结果表明,随着AlN插入层...

 PDF全文光学学报 | 2014, 34(02):0231003

 SiON钝化膜对硅衬底氮化镓绿光LED可靠性的影响

邱虹 刘军林 王立 江风益

[摘要]研制了4种不同表面钝化类型Si衬底GaN基绿光LED,分别标记为样品A、B、C、D。样品A无钝化层,样品B为台面SiON钝化,样品C为侧面SiON钝化,样品D为台面和侧面均钝化。将4种样品进行了常温60 mA(电流密度312 A/cm2)下16...

 PDF全文发光学报 | 2011, 32(06):603-607

 Si衬底GaN基蓝光LED钝化增透膜研究

刘军林 邱冲 江风益

[摘要]在Si衬底GaN基蓝光LED芯片上生长了一层SiON钝化膜,使器件的光输出功率提高12%且有效降低了器件在老化过程中的光衰。对有、无钝化膜的样品进行性能比较,结果表明SiON钝化膜能有效隔离环氧树脂与高温芯片,缓解环氧树...

 PDF全文光学学报 | 2010, 30(10):2978-2982

 转移基板材质对Si衬底GaN基LED芯片性能的影响

邝海 刘军林 程海英 江风益

[摘要]在Si衬底上生长了GaN基LED外延材料,分别转移到新的硅基板和铜基板上,制备了垂直结构蓝光LED芯片。研究了这两种基板GaN基LED芯片的光电性能。在切割成单个芯片之前,对大量尺寸为(300 μm×300 μm)的这两种芯片分...

 PDF全文光学学报 | 2008, 28(01):143-145

 不同偏振飞秒激光经块状材料传输后的脉宽压缩

朱毅 陈晓伟 冷雨欣 刘军 林礼煌 李儒新 徐至展

[摘要]实验研究了线偏振和圆偏振状态下的飞秒强激光脉冲在块状材料中的传输过程。不同偏振的激光脉冲在传输过程中得到了不同程度的光谱展宽,经色散补偿后,脉冲时域宽度均得到了压缩。详细分析了压缩脉冲的脉宽以及啁啾情...

 PDF全文光学学报 | 2006, 26(03):471-475

 利用块状介质进行飞秒强激光脉冲的腔外压缩

朱毅 陈晓伟 冷雨欣 刘军 林礼煌 李儒新 徐至展

[摘要]高强度飞秒激光脉冲的腔外压缩是获得高次谐波阿秒脉冲驱动源的必要手段。实验研究了超强超短飞秒激光脉冲在经过块状介质后的光谱展宽和色散补偿压缩现象。单脉冲能量0。26 mJ,脉宽50 fs的激光脉冲经透镜在空气中聚焦后。。。

 PDF全文中国激光 | 2005, 32(12):1614-1618

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